型号等于：	BS616LV8021 (1) BS616LV8022 (1) BS616LV8023 (1) BS616LV8025 (1)
型号起始：	BS616LV802* (12) BS616LV8021* (3) BS616LV8022* (3) BS616LV8023* (3) BS616LV8025* (3)
所属品牌：	不限 BSI(12)
功能分类：	不限静态存储器(12)

BS616LV802 - 型号起始; 总记录数：12

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV8021 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV8021AC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV8021AI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV8022 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV8022BC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV8022BI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV8023 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV8023BC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV8023BI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV8025 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV8025BC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV8025BI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器

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