型号起始:62LV* (2) BD61* (36) BH61* (77) BH62* (40) BS61* (845)
所属品牌:不限 BSI(3253)
功能分类:不限 静态存储器(3247) 光电二极管(915) 内存集成电路(1015) 存储(489)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
BH616UV8011AIP55
中文翻译 品牌: BSI
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit
超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位
存储 内存集成电路 静态存储器
BH616UV8011DIG55
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, GREEN, DIE PACKAGE 静态存储器 内存集成电路
BH616UV8011DIP55
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIE PACKAGE 静态存储器 内存集成电路
BH616UV8011DIP70
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIE PACKAGE 静态存储器 内存集成电路
BH62UV1601AIG55
中文翻译 品牌: BSI
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM
超低功耗/高速CMOS SRAM
存储 内存集成电路 静态存储器
BH62UV1601AIG70
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, GREEN, BGA-48 静态存储器 内存集成电路
BH62UV8001DIG55
中文翻译 品牌: BSI
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 8 bit
超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×8位
存储 内存集成电路 静态存储器
BS616LV1010AA70
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, BGA-48 静态存储器 内存集成电路
BS616LV1010AAG70
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, GREEN, BGA-48 静态存储器 内存集成电路
BS616LV1010ACG55
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit
超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位
存储 内存集成电路 静态存储器
BS616LV1010ACG70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit
超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位
存储 内存集成电路 静态存储器
BS616LV1010ACP70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit
超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位
存储 内存集成电路 静态存储器
BS616LV1010AIG55
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit
超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位
存储 内存集成电路 静态存储器
BS616LV1010AIP70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit
超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位
存储 内存集成电路 静态存储器
BS616LV1010DCP55
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit
超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位
存储 内存集成电路 静态存储器
BS616LV1010DCP70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit
超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位
存储 内存集成电路 静态存储器
BS616LV1010ECG55
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit
超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
BS616LV1010ECG70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit
超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
BS616LV1010ECP55
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit
超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
BS616LV1010ECP70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit
超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
BS616LV1010EI70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit
超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
BS616LV1010EIG55
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit
超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
BS616LV1010EIG70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit
超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
BS616LV1010EIP70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit
超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
BS616LV1011AC70
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 静态存储器 内存集成电路
BS616LV1011ACP55
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit
非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位
存储 内存集成电路 静态存储器
BS616LV1011ACP70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit
非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位
存储 内存集成电路 静态存储器
BS616LV1011AI55
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48 静态存储器 内存集成电路
BS616LV1011AI70
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 静态存储器 内存集成电路
BS616LV1011AIG70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit
非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位
存储 内存集成电路 静态存储器
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BSI是什么品牌:BSI成立于1996年,是一家无晶圆厂半导体制造公司,也是超低功率SRAM的全球供应商。 BSI总部位于台湾硅谷,新竹科技园区。 BSI在全球范围内提供超低功耗SRAM解决方案,涵盖低密度256K SRAM到16M SRAM,并制定了积极的路线图战略,以开发超出此范围的产品。 BSI超低功耗SRAM已广泛应用于手机、PDA、GPS、掌上游戏、条形码阅读器、电池备份电子设备等行业。BSI是全球超低功率SRAM市场的主要参与者。