型号起始: | 62LV* (2) BD61* (36) BH61* (77) BH62* (40) BS61* (845) |
所属品牌: | 不限 BSI(3253) |
功能分类: | 不限 静态存储器(3247) 光电二极管(915) 内存集成电路(1015) 存储(489) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
![]() |
![]() |
BH616UV8011AIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
![]() |
![]() |
BH616UV8011DIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, GREEN, DIE PACKAGE | 静态存储器 内存集成电路 | ||
![]() |
![]() |
BH616UV8011DIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIE PACKAGE | 静态存储器 内存集成电路 | ||
![]() |
![]() |
BH616UV8011DIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIE PACKAGE | 静态存储器 内存集成电路 | ||
![]() |
![]() |
BH62UV1601AIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 超低功耗/高速CMOS SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
![]() |
![]() |
BH62UV1601AIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, GREEN, BGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
![]() |
![]() |
BH62UV8001DIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 8 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×8位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
![]() |
![]() |
BS616LV1010AA70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, BGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
![]() |
![]() |
BS616LV1010AAG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, GREEN, BGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
![]() |
![]() |
BS616LV1010ACG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
![]() |
![]() |
BS616LV1010ACG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
![]() |
![]() |
BS616LV1010ACP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
![]() |
![]() |
BS616LV1010AIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
![]() |
![]() |
BS616LV1010AIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
![]() |
![]() |
BS616LV1010DCP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
![]() |
![]() |
BS616LV1010DCP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
![]() |
![]() |
BS616LV1010ECG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
![]() |
![]() |
BS616LV1010ECG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
![]() |
![]() |
BS616LV1010ECP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
![]() |
![]() |
BS616LV1010ECP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
![]() |
BS616LV1010EI70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
![]() |
![]() |
BS616LV1010EIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
![]() |
![]() |
BS616LV1010EIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
![]() |
![]() |
BS616LV1010EIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
![]() |
BS616LV1011AC70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
![]() |
BS616LV1011ACP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | |||
![]() |
BS616LV1011ACP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | |||
![]() |
BS616LV1011AI55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
![]() |
BS616LV1011AI70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
![]() |
BS616LV1011AIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 |
BSI是什么品牌:BSI成立于1996年,是一家无晶圆厂半导体制造公司,也是超低功率SRAM的全球供应商。
BSI总部位于台湾硅谷,新竹科技园区。
BSI在全球范围内提供超低功耗SRAM解决方案,涵盖低密度256K SRAM到16M SRAM,并制定了积极的路线图战略,以开发超出此范围的产品。
BSI超低功耗SRAM已广泛应用于手机、PDA、GPS、掌上游戏、条形码阅读器、电池备份电子设备等行业。BSI是全球超低功率SRAM市场的主要参与者。