| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BSS138PW
中文翻译 品牌: NXP |
60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFET 60 V ， 320毫安N沟道沟槽MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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BSS138PW
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
60V, N Channel, Small Signal MOSFETs | ||||
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BSS138PW,115
中文翻译 品牌: NXP |
BSS138PW - 60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET SC-70 3-Pin | 开关 光电二极管 晶体管 | ||
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BSS138Q
中文翻译 品牌: DIODES |
50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | ||||
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BSS138Q-7-F
中文翻译 品牌: DIODES |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |||
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BSS138T
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : SOT-523; Polarity : Single-N; ESD : No; VDS (V) : 50; VGS (±V) : ±20; ID (A) @ 25°C : 0.22; VGS (TH) (V) : 0.8~1.8; RDS(Max)@VGS= 10V : 3500 | ||||
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BSS138TA
EDA模型
中文翻译 品牌: DIODES |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET N沟道增强型MOSFET |
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BSS138TC
中文翻译 品牌: DIODES |
元器件封装:SOT-23-3; | |||
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BSS138V3.3
中文翻译 品牌: RUILON |
小信号Mos | ||||
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BSS138W
中文翻译 品牌: DIODES |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | ||
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BSS138W
中文翻译 品牌: INFINEON |
SIPMOS Small-Signal-Transistor SIPMOS小信号三极管 |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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BSS138W
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 50V，210mA，3.5Ω | 开关 光电二极管 晶体管 场效应晶体管 | ||
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BSS138W
中文翻译 品牌: MCC |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; | ||||
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BSS138W
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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BSS138W
中文翻译 品牌: WEITRON |
N-Channel POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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BSS138W
中文翻译 品牌: CJ |
SOT-323 | ||||
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BSS138W
中文翻译 品牌: RUILON |
小信号Mos | ||||
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BSS138W
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
0.2A, 50V, 0.2W, N Channel, Small Signal MOSFETs | ||||
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BSS138W
中文翻译 品牌: YANGJIE |
SOT-323 | ||||
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BSS138W
中文翻译 品牌: HOTTECH |
SOT-323 | ||||
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BSS138W
中文翻译 品牌: RECTRON |
Vdss (V) : 50 V;Id @ 25C (A) : 0.22 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3500 mOhms;Maximum Power Dissipation (W) : 0.3 W;Vgs(th) (typ) : 1.25 V;Input Capacitance | ||||
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BSS138W
中文翻译 品牌: AITSEMI |
V(BR)DSS (V) : 50; Type : N; VGSS (±V) : 20; ID (A)TA=25°C) : 0.2; VGS(TH) Min/Max(V) : 0.5/1.5; RDS(ON) (mΩ)Typ.VGS= ±10V : –; RDS(ON) (mΩ)Typ.VGS= ± | ||||
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BSS138W
中文翻译 品牌: ANBON |
SOT-323 | ||||
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BSS138W
中文翻译 品牌: JINGHENG |
Configuration:Single; Ch:N; Vds(V):50; Id(A):0.34; Pd(W):0.15; Vgs(MAX)(V):±20; Vth(Min)(V):0.8; Vth(Max)(V):1.6; RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V:1.2; RDS(on)(ty | ||||
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BSS138W
中文翻译 品牌: HDSEMI |
场效应 | ||||
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BSS138W
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : SOT-323; Polarity : Single-N; ESD : No; VDS (V) : 50; VGS (±V) : ±20; ID (A) @ 25°C : 0.2; VGS (TH) (V) : 0.5~1.8; | ||||
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BSS138W (新产品)
中文翻译 品牌: ROHM |
BSS138W采用UMT3封装，内置有单极Nch 60V 310mA MOSFET和ESD保护二极管，非常适用于开关电路、低边负载开关和继电器驱动器等应用。 | 开关 驱动 继电器 二极管 驱动器 | |||
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BSS138W-7
中文翻译 品牌: DIODES |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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BSS138W-7-F
EDA模型
中文翻译 品牌: DIODES |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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BSS138W-CAR
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : SOT-323; Polarity : Single-N; ESD : No; VDS (V) : 50; VGS (±V) : ±20; ID (A) @ 25°C : 0.2; VGS (TH) (V) : 0.5~1.8; |