型号等于: | BSS138D (2) BSS138DW (3) |
型号起始: | BSS138D* (13) BSS138DW* (11) |
所属品牌: | 不限 DIODES(9) BL Galaxy Electrical(1) RUILON(1) YANGJIE(1) |
功能分类: | 不限 晶体(5) 晶体管(4) 场效应晶体管(4) 小信号场效应晶体管(1) 开关(1) 光电二极管(1) PC(1) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BSS138D
中文翻译 品牌: RUILON |
小信号Mos | ||||
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BSS138DW
中文翻译 品牌: DIODES |
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 双N沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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BSS138DW
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
0.2A, 50V, 0.2W, N Channel, Dual MOSFETs | ||||
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BSS138DW
中文翻译 品牌: YANGJIE |
SOT-363 | ||||
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BSS138DW
中文翻译 品牌: JINGHENG |
Configuration:Single; Ch:N; Vds(V):50; Id(A):0.34; Pd(W):0.35; Vgs(MAX)(V):±20; Vth(Min)(V):0.8; Vth(Max)(V):1.6; RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V:1.2; RDS(on)(ty | ||||
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BSS138DW
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : SOT-363; Polarity : Dual-N; ESD : No; VDS (V) : 50; VGS (±V) : ±20; ID (A) @ 25°C : 0.2; VGS (TH) (V) : 0.5~1.5; | ||||
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BSS138DW
中文翻译 品牌: FS |
POLARITY : N-ch; PC : 0.35; ID : 0.3; VDSS : 55; Vth(min) : 0.8; RDS : 1500; VGS(RDS) : 10; Dual Type : ○; Package : SOT-363; | PC | |||
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BSS138DW
中文翻译 品牌: HDSEMI |
场效应 | ||||
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BSS138DW-7
中文翻译 品牌: DIODES |
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 双N沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | ||
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BSS138DW-7-F
EDA模型
中文翻译 品牌: DIODES |
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 双N沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 PC | ||
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BSS138DWK
中文翻译 品牌: DIODES |
50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | ||||
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BSS138DWQ
中文翻译 品牌: DIODES |
Low On-Resistance | ||||
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BSS138DWQ-13
中文翻译 品牌: DIODES |
Low On-Resistance | |||
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BSS138DWQ-7
EDA模型
中文翻译 品牌: DIODES |
Low On-Resistance | |||
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BSS138DW_09
中文翻译 品牌: DIODES |
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 双N沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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BSS138DW_1
中文翻译 品牌: DIODES |
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 双N沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 |
Total:161
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