| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BSS84WAHZG (新产品)
中文翻译 品牌: ROHM |
BSS84WAHZG采用SOT-23封装，内置有单极Pch -60V -0.21A MOSFET和ESD保护二极管。非常适用于高边负载开关、开关电路和继电器驱动器等应用，是一款符合AEC-Q101标准的车载用MOSFET。 | 开关 驱动 继电器 二极管 驱动器 | |||
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BSS84WHE3
中文翻译 品牌: MCC |
Tape&Reel:3Kpcs/Reel; | ||||
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BSS84WQ
中文翻译 品牌: DIODES |
50V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | ||||
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BSS84WQ
中文翻译 品牌: YANGJIE |
SOT-323 | ||||
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BSS84WQ-7-F
中文翻译 品牌: DIODES |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | |||
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BSS84WT/R13
中文翻译 品牌: DIODES |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET P沟道增强型MOSFET |
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BSS84WT/R7
中文翻译 品牌: DIODES |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET P沟道增强型MOSFET |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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BSS84WT1
中文翻译 品牌: WILLAS |
130 mAmps, 50 Volts 130毫安， 50伏 |
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BSS84W_1
中文翻译 品牌: DIODES |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR P沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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BSS84W_15
中文翻译 品牌: DIODES |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | ||||
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BSS84W_2
中文翻译 品牌: DIODES |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR P沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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BSS84XHZG
中文翻译 品牌: ROHM |
BSS84XHZG是具有较高安装可靠性的车载用超小型MOSFET，利用先进的Wettable Flank成型技术确保封装侧面电极部分的高度为125μm。采用底部电极结构的封装确保稳定的焊接品质，使部件安装后焊接状态的自动光学检查(AOI)更准确。有助于车载ECU和ADAS相机模块等车载部件的小型化。 | 开关 驱动 继电器 驱动器 | |||
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BSS84Z
中文翻译 品牌: UTC |
0.13A, 50V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 0.13A ， 50V P沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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BSS84ZDW
中文翻译 品牌: UTC |
0.13A, 50V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | ||||
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BSS84ZG-AE2-R
中文翻译 品牌: UTC |
0.13A, 50V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 0.13A ， 50V P沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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BSS84ZL-AE2-R
中文翻译 品牌: UTC |
0.13A, 50V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 0.13A ， 50V P沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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BSS84ZT
中文翻译 品牌: UTC |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | ||||
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BSS84ZTG-AN3-R
中文翻译 品牌: UTC |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | ||||
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BSS84ZWG-AL6-R
中文翻译 品牌: UTC |
0.13A, 50V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | ||||
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BSS84ZWL-AL6-R
中文翻译 品牌: UTC |
0.13A, 50V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | ||||
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BSS84Z_15
中文翻译 品牌: UTC |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | ||||
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BSS84_1
中文翻译 品牌: PANJIT |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR P沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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BSS84_10
中文翻译 品牌: DIODES |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR P沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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BSS84_14
中文翻译 品牌: PANJIT |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | ||||
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BSS84_15
中文翻译 品牌: DIODES |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | ||||
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BSS84_17
中文翻译 品牌: DIODES |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | ||||
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BSS84_D87Z
中文翻译 品牌: ONSEMI |
元器件封装:SOT-23-3; | |||
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BSS84_R1_00001
中文翻译 品牌: PANJIT |
漏源电压Vdss(V):50V;额定电流Id(A):130mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):10Ω 5V,100mA;类型:P沟道;最大耗散功率Pd(W):200mW;栅源耐压Vgs(V):2V 1mA; | 栅 |