| 型号等于： | BSS84_1 (1) |
| 型号起始： | BSS84_* (5) BSS84_1* (5) |
| 所属品牌： | 不限 DIODES(3) PANJIT(2) |
| 功能分类： | 不限 晶体(2) 晶体管(2) 场效应晶体管(2) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BSS84_1
中文翻译 品牌: PANJIT |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR P沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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BSS84_10
中文翻译 品牌: DIODES |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR P沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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BSS84_14
中文翻译 品牌: PANJIT |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | ||||
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BSS84_15
中文翻译 品牌: DIODES |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | ||||
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BSS84_17
中文翻译 品牌: DIODES |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | ||||
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BSS84_D87Z
中文翻译 品牌: ONSEMI |
元器件封装:SOT-23-3; | |||
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BSS84_R1_00001
中文翻译 品牌: PANJIT |
漏源电压Vdss(V):50V;额定电流Id(A):130mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):10Ω 5V,100mA;类型:P沟道;最大耗散功率Pd(W):200mW;栅源耐压Vgs(V):2V 1mA; | 栅 |
Total:71
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