型号等于：	MR0A08B (1) MR0D08B (1) MR0DL08B (1) MR10Q010 (1) MR1A16A (1) MR20H40 (1) MR256A08B (1) MR256D08B (1) MR25H10 (1) MR25H128A (1) MR25H256 (1) MR25H256A (1) MR25H40 (1) MR25H40DF (1) MR2A08A (1) MR3A16A (1) MR4A08B (1) MR4A16B (1) MR5A16A (1)
型号起始：	EMD3D256M* (6) MR0A08B* (1) MR0A08BCM* (2) MR0A08BCS* (2) MR0A08BCY* (2) MR0A08BMA* (2) MR0A08BSO* (2) MR0A08BYS* (2) MR0A16ACM* (2) MR0A16ACY* (2) MR0A16AMA* (2) MR0A16AMY* (2) MR0A16AVM* (2) MR0A16AVY* (2) MR0A16AYS* (2) MR0D08B* (1) MR0D08BMA* (2) MR0DL08B* (1) MR0DL08BM* (2) MR10Q010* (1) MR10Q010C* (4) MR10Q010M* (2) MR10Q010S* (2) MR10Q010V* (4) MR1A16A* (1) MR1A16ACM* (2) MR1A16ACY* (2) MR1A16AMA* (2) MR1A16AMY* (2) MR1A16AVM* (2) MR1A16AVY* (2)
所属品牌：	不限 EVERSPIN(197)
功能分类：	不限静态存储器(77) 光电二极管(68) 内存集成电路(105) 双倍数据速率(6) 可编程只读存储器(6) 电动程控只读存储器(6) 电可擦编程只读存储器(6) PC(2)

EVERSPIN - 型号起始 - 双倍数据速率; 总记录数：6

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		EMD3D256M08BS1 中文翻译品牌: EVERSPIN	256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM	双倍数据速率
		EMD3D256M08G1-150CBS1 中文翻译品牌: EVERSPIN	256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM	双倍数据速率
		EMD3D256M08G1-150CBS1R 中文翻译品牌: EVERSPIN	256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM	双倍数据速率
		EMD3D256M16BS1 中文翻译品牌: EVERSPIN	256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM	双倍数据速率
		EMD3D256M16G2-150CBS1 中文翻译品牌: EVERSPIN	256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM	双倍数据速率
		EMD3D256M16G2-150CBS1R 中文翻译品牌: EVERSPIN	256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM	双倍数据速率

Total:61

总6条记录，每页显示30条记录分1页显示。

EVERSPIN是什么品牌：EverSpin Technologies, Inc.总部设在亚利桑那州Chandler的Everspin技术公司是全球领先的设计、制造和商业运输离散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）的市场和应用领域，数据持久性和完整性，低延时，安全是最重要的。拥有超过7000万MRAM和ST-MRAM产品部署在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场，Everspin公司建立了最强和增长最快的基础上的MRAM用户在世界上。