| 型号等于： | FQD2N60C (4) |
| 型号起始： | FQD2N60C* (10) FQD2N60CT* (5) FQD2N60C_* (1) |
| 所属品牌： | 不限 FAIRCHILD(5) ONSEMI(2) KERSEMI(1) |
| 功能分类： | 不限 开关(6) 脉冲(6) 晶体管(7) 晶体(4) 功率场效应晶体管(2) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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FQD2N60C
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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FQD2N60C
中文翻译 品牌: KERSEMI |
N-Channel QFET MOSFET N沟道MOSFET QFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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FQD2N60CTF
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel QFET® MOSFET N沟道MOSFET QFET® |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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FQD2N60CTF
中文翻译 品牌: ONSEMI |
元器件封装:TO-252; | |||
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FQD2N60CTF_F080
中文翻译 品牌: ONSEMI |
元器件封装:TO-252; | |||
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FQD2N60CTM
中文翻译 品牌: ONSEMI |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，1.9 A，4.7 Ω，DPAK | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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FQD2N60CTM
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel QFET® MOSFET N沟道MOSFET QFET® |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | ||
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FQD2N60CTM-WS
中文翻译 品牌: ONSEMI |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，1.9 A，4.7 Ω，DPAK | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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FQD2N60CTM_WS
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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FQD2N60C_09
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
Total:101
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