| 型号等于： | FQP10N60 (2) FQP10N60C (3) |
| 型号起始： | FQP10N60* (8) FQP10N60C* (6) |
| 所属品牌： | 不限 FAIRCHILD(4) KERSEMI(1) ONSEMI(1) TGS(1) |
| 功能分类： | 不限 晶体(4) 晶体管(5) 功率场效应晶体管(3) 开关(5) 脉冲(5) 局域网(5) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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FQP10N60
中文翻译 品牌: TGS |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
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FQP10N60C
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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FQP10N60C
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
N-Channel QFET® MOSFET 600V, 9.5A, 730mΩ, TO-220 3L, 1000-RAIL | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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FQP10N60C
中文翻译 品牌: KERSEMI |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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FQP10N60CF
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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FQP10N60C_07
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
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FQP10N60C_NL
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 600V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220, 3 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 |
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