| 型号等于： | FQPF3N60 (4) |
| 型号起始： | FQPF3N60* (5) FQPF3N60_* (1) |
| 所属品牌： | 不限 FAIRCHILD(2) KERSEMI(1) |
| 功能分类： | 不限 局域网(3) 开关(3) 脉冲(3) 晶体管(3) 晶体(2) 功率场效应晶体管(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
 |
FQPF3N60
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
 |
FQPF3N60
中文翻译 品牌: KERSEMI |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
 |
 |
FQPF3N60
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
元器件封装:TO-220F-3; | |||
|
 |
FQPF3N60_NL
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 |
Total:41
总4条记录，每页显示30条记录分1页显示。