| 型号等于： | FQU2N60C (4) |
| 型号起始： | FQU2N60C* (6) FQU2N60CT* (2) |
| 所属品牌： | 不限 FAIRCHILD(2) KERSEMI(1) ONSEMI(1) |
| 功能分类： | 不限 开关(4) 脉冲(4) 晶体管(4) 晶体(3) 功率场效应晶体管(2) 栅极(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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FQU2N60C
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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FQU2N60C
中文翻译 品牌: KERSEMI |
N-Channel QFET MOSFET N沟道MOSFET QFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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FQU2N60CTU
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Low Gate Charge (Typ. 8.5 nC) 低栅极电荷（典型值8.5 NC ） |
晶体 栅极 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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FQU2N60CTU
中文翻译 品牌: ONSEMI |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，1.9 A，4.7 Ω，IPAK | 开关 脉冲 晶体管 |
Total:41
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