| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
BP2863XJ
中文翻译 品牌: BPS |
BP2863XJ是一款降压型领先恒流驱动芯片。芯片工作在电感电流临界连续模式，适用于85伏~265伏全范围输入电压的非隔离降压型领先恒流电源。芯片ROVP引脚带使能够功能，适用于开关调色和感应灯应 | 开关 驱动 | |||
 |
ES
中文翻译 品牌: BOURNS |
旋转式编码器适用于各种应 用数字电流产品上的数字面板控制器，或是位置感应装置。Bourns 这些装置可为接触式或光学式，并可应用于各种解决方案上 。有些型号提供瞬间按键开关和止动装置。 典型的应用 | 开关 编码器 控制器 装置 | |||
 |
HYG030N02KQ1C2
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为 N 沟道、20V耐压、2.2mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动/电池保护等应... | 电池 开关 电机 驱动 光电二极管 | |||
|
HYG035N02KA1C2
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为 N 沟道、20V耐压、2.6mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动/电池保护等应... | 电池 开关 电机 驱动 光电二极管 | |||
|
HYG060P04LQ1D
中文翻译 品牌: HUAYI |
此器件为 P 沟道、-40V耐压、5.8mΩ内阻、TO-252-2L封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足负载开关、电池保护板等应... | 电池 开关 | |||
 |
IXTA64N10L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 开关 | |||
|
IXTH110N10L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 开关 | |||
|
IXTH140N075L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 开关 | |||
|
IXTH15N50L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 开关 | |||
|
IXTH30N50L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 开关 | |||
|
IXTH30N60L2
EDA模型
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 开关 | |||
|
IXTH38N30L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 开关 | |||
|
IXTH58N25L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 开关 | |||
|
IXTH60N20L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 开关 | |||
|
IXTH80N075L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 开关 | |||
|
IXTK110N20L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 开关 | |||
|
IXTK200N10L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 开关 | |||
|
IXTK240N075L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 开关 | |||
|
IXTK60N50L2
EDA模型
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
|
IXTK90N25L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 开关 | |||
|
IXTN110N20L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
|
IXTN200N10L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
|
IXTN240N075L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 开关 | |||
|
IXTN60N50L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 开关 | |||
|
IXTN80N30L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 开关 | |||
|
IXTP80N075L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 开关 | |||
|
IXTQ30N50L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
|
IXTQ30N60L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 开关 | |||
|
IXTT140N075L2HV
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 开关 | |||
|
IXTT30N50L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 开关 |