| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF530
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型硅栅的TMOS功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 栅 局域网 | ||
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IRF530
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 局域网 | ||
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IRF530
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V N沟道功率MOSFET ， 20 A， 60〜100 V |
晶体 晶体管 局域网 | |||
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IRF530
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | ||||
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IRF53016
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
14A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | ||||
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IRF5305PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 | ||
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IRF5305SPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF5305STRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
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IRF530A16A
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
14 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
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IRF530C
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
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IRF530D1
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
14A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
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IRF530FI
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS N沟道增强型功率MOS晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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IRF530FP
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR N - 沟道增强型功率MOS晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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IRF530L
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.11ohm, Id=17A) 功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON） = 0.11ohm ，ID = 17A） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 局域网 | |||
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IRF530L
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
14A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 局域网 开关 晶体管 | |||
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IRF530N
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||
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IRF530NPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 | ||
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IRF530NS
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.11ohm, Id=17A) 功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON） = 0.11ohm ，ID = 17A） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF530NS
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | ||||
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IRF530NSPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRF530NSTRLPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF530NSTRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF530PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Dynamic dv/dt Rating, Fast Switching, Ease of Paralleling, Simple Drive Requirements 动态的dv / dt的额定值，快速切换，易于并联的，简单的驱动要求 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 驱动 局域网 | |||
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IRF530PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF530R
中文翻译 品牌: HARRIS |
N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated N沟道功率MOSFET的额定雪崩能量 |
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IRF530S
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRF530S
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
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IRF530SPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRF530SPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRF530STRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN | 晶体 晶体管 局域网 |