| 型号起始： | IRF610ST* (2) IRF610STR* (2) |
| 所属品牌： | 不限 VISHAY(2) |
| 功能分类： | 不限 |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF610STRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN | |||
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IRF610STRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
漏源电压Vdss(V):200V;额定电流Id(A):3.3A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):1.5 Ohm @ 2A, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):8.2nC | 栅 栅极 | ||
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IRF610STRR
中文翻译 品牌: VISHAY |
元器件封装:TO-263; | ||||
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IRF610STRRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN |
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