型号等于: | IRF620S (8) |
型号起始: | IRF620S* (17) IRF620S,* (1) IRF620SP* (2) IRF620ST* (6) |
所属品牌: | 不限 VISHAY(7) INFINEON(4) MOTOROLA(1) TRSYS(1) |
功能分类: | 不限 开关(9) 晶体管(9) 晶体(5) 功率场效应晶体管(2) 脉冲(3) 局域网(2) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF620S
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 | |||
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IRF620S
中文翻译 品牌: TRSYS |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 | |||
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IRF620S
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, SMD-220, 3 PIN | 开关 晶体管 | ||
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IRF620S
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
5A, 200V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 开关 晶体管 | |||
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IRF620S, SiHF620S
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRF620SPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET POWER MOSFET (VDSS=200V , RDS(on)=0.80ヘ , ID=5.2A ) HEXFET功率MOSFET( VDSS = 200V , RDS ( ON) = 0.80ヘ, ID = 5.2A ) |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 | |||
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IRF620SPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, TO-263, 3 P | 开关 晶体管 | ||
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IRF620STRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN | |||
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IRF620STRL
中文翻译 品牌: INFINEON |
暂无描述 | 晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF620STRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF620STRR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN | |||
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IRF620STRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
暂无描述 | 晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF620STRRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN |
Total:131
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