| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF7338TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
元器件封装:8-SOIC; | |||
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IRF733FI
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 350V V（ BR ） DSS | 3A I（ D） | TO- 220AB\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 高压 局域网 | |||
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IRF733R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 350V V（ BR ） DSS | 4.5AI （D ） | TO- 220AB\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRF734
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRF734-007PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
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IRF734-013PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 开关 晶体管 | |||
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IRF734-018
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 开关 晶体管 | |||
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IRF734-018PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 开关 晶体管 | |||
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IRF734-019PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 开关 晶体管 | |||
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IRF7341
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | ||
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IRF7341G
中文翻译 品牌: INFINEON |
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications | |||
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IRF7341GPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET® Power MOSFET | ||||
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IRF7341GTRPbF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET® Power MOSFET | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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IRF7341IPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | |||
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IRF7341PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | ||
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IRF7341Q
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | |||
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IRF7341QPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | ||
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IRF7341QTR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRF7341QTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 55V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SOP-8 | 晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | ||
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IRF7341TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
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IRF7341TR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:4.7A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:30mΩ@10V | ||||
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IRF7341TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
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IRF7341TRPBF
中文翻译 品牌: VBSEMI |
元器件封装:8-SOIC; | ||||
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IRF7342
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRF7342D2
中文翻译 品牌: INFINEON |
FETKY MOSFET & Schottky Diode FETKY ?? MOSFET和肖特基二极管 |
肖特基二极管 | |||
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IRF7342D2PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
FETKY MOSFET & Schottky Diode FETKY MOSFET和肖特基二极管 |
晶体 肖特基二极管 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRF7342D2TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
暂无描述 | 肖特基二极管 | ||
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IRF7342PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET (VDSS = -55V , RDS(on) = 0.105ヘ) HEXFET㈢功率MOSFET （ VDSS = -55V ， RDS （ ON） = 0.105ヘ） |
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IRF7342PBF-1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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IRF7342PBF-1_15
中文翻译 品牌: INFINEON |
Industry-standard pinout SO-8 Package |