| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF7303TR
中文翻译 品牌: VBSEMI |
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IRF7303TR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:5.3A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:50mΩ@10V | ||||
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IRF7303TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8 | |||
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IRF7304
中文翻译 品牌: INFINEON |
Generation V Technology 第五代技术 |
晶体 晶体管 光电二极管 | ||
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IRF7304PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 光电二极管 | ||
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IRF7304PBF-1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |||
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IRF7304PBF_10
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFETPOWERMOSFET HEXFETPOWERMOSFET |
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IRF7304QPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRF7304QPBF_10
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET POWER MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRF7304QTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Transistor, | |||
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IRF7304TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Generation V Technology 第五代技术 |
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IRF7304TR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:P+P-Channel;漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-4.7A;Vgs(th)(V):±12;漏源导通电阻:90mΩ@-10V | ||||
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IRF7304TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Generation V Technology 第五代技术 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 光电二极管 PC | ||
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IRF7306
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 光电二极管 | ||
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IRF7306PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢Power MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 PC | ||
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IRF7306QPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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IRF7306QPBF_10
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFETPOWERMOSFET HEXFETPOWERMOSFET |
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IRF7306QTR
中文翻译 品牌: VBSEMI |
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IRF7306QTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 光电二极管 | ||
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IRF7306TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | |||
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IRF7306TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 光电二极管 晶体管 | ||
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IRF7307
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 光电二极管 PC | ||
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IRF7307PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET POWER MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | ||
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IRF7307QPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | |||
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IRF7307QPBF_10
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFETPOWERMOSFET HEXFETPOWERMOSFET |
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IRF7307QTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, ROHS COM | 局域网 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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IRF7307TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 光电二极管 晶体管 | |||
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IRF7307TR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:N+P-Channel;漏源电压（Vdss）:N: 20V，P：-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:N: 4.7A，P：-5.7A;Vgs(th)(V):±12;漏源导通电阻:N:53 ，P：100mΩ@4.5V | ||||
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IRF7307TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET® Power MOSFET ?? HEXFET®功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | ||
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IRF7309
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 |