| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF7311TR
中文翻译 品牌: VBSEMI |
元器件封装:8-SOIC; | ||||
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IRF7311TR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:6.6A;Vgs(th)(V):±12;漏源导通电阻:29mΩ@4.5V | ||||
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IRF7311TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 20V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8 | 局域网 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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IRF7313
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET POWER MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | ||
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IRF7313PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRF7313PBF-1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 晶体管 | ||
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IRF7313QPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRF7313QTR
中文翻译 品牌: INFINEON |
最小工作温度(℃):0;最大工作温度(℃):; | ||||
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IRF7313QTR
中文翻译 品牌: VBSEMI |
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IRF7313QTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
元器件封装:8-SOIC; | |||
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IRF7313TR
中文翻译 品牌: VBSEMI |
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IRF7313TR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:6.5A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:29mΩ@10V | ||||
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IRF7313TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
最小工作温度(℃):0;最大工作温度(℃):; | ||||
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IRF7313TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Generation V Technology 第五代技术 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | ||
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IRF7313TRPBF-1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor | |||
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IRF7313UPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SO-8 | 晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | |||
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IRF7313UTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SOP-8 | 局域网 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | |||
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IRF7314
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | ||
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IRF7314PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Generation V Technology, Ultra Low On-Resistance 第五代技术，超低导通电阻 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | ||
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IRF7314Q
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | |||
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IRF7314QPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | |||
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IRF7314QTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
元器件封装:8-SOIC; | |||
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IRF7314TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 0.058ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, | 局域网 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | |||
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IRF7314TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Generation V Technology 第五代技术 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 PC 局域网 | ||
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IRF7314TRPBF
中文翻译 品牌: VBSEMI |
元器件封装:8-SOIC; | ||||
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IRF7316
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET POWER MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | ||
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IRF7316GPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.058ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN AND LEAD FREE | 局域网 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | |||
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IRF7316PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢Power MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | ||
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IRF7316PBF-1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |||
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IRF7316QPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |