型号等于:IRF731 (3) IRF7311 (1) IRF7313 (1) IRF7314 (1) IRF7316 (1) IRF7317 (1) IRF7319 (1) IRF731R (1)
型号起始:IRF731* (3) IRF731-* (16) IRF7311* (5) IRF7313* (9) IRF7314* (6) IRF7316* (10) IRF7317* (6) IRF7319* (5) IRF731F* (1) IRF731R* (1)
所属品牌:不限 INFINEON(52) UMW(4) ETC(2) NJSEMI(2) FAIRCHILD(1) SAMSUNG(1)
功能分类:不限 晶体(14) 晶体管(27) 功率场效应晶体管(10) 开关(18) 脉冲(25) 光电二极管(17) 局域网(25) PC(3)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
IRF7317PBF
中文翻译 品牌: INFINEON
HEXFET㈢ Power MOSFET
HEXFET㈢功率MOSFET
PC
IRF7317PBF_15
中文翻译 品牌: INFINEON
GENERATION V TECHNOLOGY
IRF7317TR
中文翻译 品牌: INFINEON
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 20V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
IRF7317TR
中文翻译 品牌: VBSEMI
IRF7317TRPBF EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON
Generation V Technology
IRF7319
中文翻译 品牌: INFINEON
HEXFET?? Power MOSFET
HEXFET®功率MOSFET
IRF7319PBF
中文翻译 品牌: INFINEON
HEXFET㈢ Power MOSFET
HEXFET㈢功率MOSFET
IRF7319TR
中文翻译 品牌: INFINEON
暂无描述
IRF7319TR
中文翻译 品牌: VBSEMI
IRF7319TR
中文翻译 品牌: UMW
种类:N+P-Channel;漏源电压(Vdss):N:30V; P:-30V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):-4.9A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:N:31mΩ; P: 60mΩ@10V
IRF7319TRPBF EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON
GenarafionV Technology
GenarafionV技术
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 PC 局域网
IRF731FI
中文翻译 品牌: NJSEMI
Trans MOSFET N-CH 20V 6.6A 8-Pin SOIC
IRF731R
中文翻译 品牌: ETC
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-220AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 350V V( BR ) DSS | 5.5AI (D ) | TO- 220AB\n
晶体 晶体管
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