| 型号等于： | IRF7324 (2) |
| 型号起始： | IRF7324* (12) IRF7324D* (4) IRF7324P* (2) IRF7324T* (4) |
| 所属品牌： | 不限 INFINEON(9) UMW(1) VBSEMI(1) |
| 功能分类： | 不限 肖特基二极管(3) 晶体(2) 晶体管(2) 功率场效应晶体管(1) 开关(2) 脉冲(2) 光电二极管(2) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF7324
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET? Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
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IRF7324D1
中文翻译 品牌: INFINEON |
FETKY MOSFET / Schottky Diode FETKY MOSFET /肖特基二极管 |
肖特基二极管 | ||
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IRF7324D1PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
FETKY⑩MOSFET / Schottky Diode FETKY⑩MOSFET /肖特基二极管 |
肖特基二极管 | ||
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IRF7324D1TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
FETKY MOSFET / Schottky Diode FETKY MOSFET /肖特基二极管 |
肖特基二极管 | ||
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IRF7324D1TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
元器件封装:8-SOIC; | |||
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IRF7324PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET(-20V, 0.018ohm) HEXFET功率MOSFET （ -20V ， 0.018ohm ） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | ||
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IRF7324PBF-1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor | |||
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IRF7324TR
中文翻译 品牌: VBSEMI |
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IRF7324TR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:P+P-Channel;漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-9A;Vgs(th)(V):±12;漏源导通电阻:18mΩ@-4.5V | ||||
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IRF7324TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
最小工作温度(℃):0;最大工作温度(℃):; | ||||
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IRF7324TRPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Trench Technology 沟槽技术 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 |
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