| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF7342QTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
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IRF7342TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 55V, 0.105ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | |||
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IRF7342TR
中文翻译 品牌: VBSEMI |
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IRF7342TR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:P+P-Channel;漏源电压（Vdss）:-55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-3.4A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:105mΩ@-10V | ||||
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IRF7342TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Generation V Technology 第五代技术 |
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IRF7342TRPBF-1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 55V, 0.105ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS | 脉冲 光电二极管 晶体管 | |||
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IRF7343
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | ||
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IRF7343IPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRF7343PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | ||
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IRF7343QPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | |||
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IRF7343QPBF_10
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET POWER MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRF7343QTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Transistor, | 晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | ||
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IRF7343TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 55V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8 | 晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | ||
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IRF7343TR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:N+P-Channel;漏源电压（Vdss）:N: 55V P：-55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:N: 4.7A ;P：-3.4A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:N:50mΩ ;P：90mΩ@10V | ||||
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IRF7343TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
generation v technology 第五代技术 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | ||
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IRF7343TRPBF
中文翻译 品牌: VBSEMI |
元器件封装:8-SOIC; | ||||
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IRF734PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRF734S
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 450V V（ BR ） DSS | 4.9AI （D ） | TO- 220AB\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRF734STRR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 晶体管 |