型号等于:IRF7343 (1)
型号起始:IRF7343* (1) IRF7343I* (1) IRF7343P* (1) IRF7343Q* (3) IRF7343T* (3)
所属品牌:不限 INFINEON(8) UMW(1)
功能分类:不限 晶体(6) 晶体管(6) 开关(6) 脉冲(6) 光电二极管(6) 局域网(5) 功率场效应晶体管(3)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
IRF7343
中文翻译 品牌: INFINEON
HEXFET Power MOSFET
HEXFET功率MOSFET
晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网
IRF7343IPBF
中文翻译 品牌: INFINEON
HEXFET Power MOSFET
HEXFET功率MOSFET
IRF7343PBF EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON
HEXFET Power MOSFET
HEXFET功率MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网
IRF7343QPBF
中文翻译 品牌: INFINEON
HEXFET Power MOSFET
HEXFET功率MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网
IRF7343QPBF_10
中文翻译 品牌: INFINEON
HEXFET POWER MOSFET
HEXFET功率MOSFET
IRF7343QTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON
Transistor, 晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网
IRF7343TR
中文翻译 品牌: INFINEON
Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 55V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8 晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网
IRF7343TR
中文翻译 品牌: UMW
种类:N+P-Channel;漏源电压(Vdss):N: 55V P:-55V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):N: 4.7A ;P:-3.4A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:N:50mΩ ;P:90mΩ@10V
IRF7343TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON
generation v technology
第五代技术
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管
IRF7343TRPBF
中文翻译 品牌: VBSEMI
元器件封装:8-SOIC;
Total:101
总10条记录,每页显示30条记录分1页显示。