| 型号等于： | IRF7342TR (6) |
| 型号起始： | IRF7342TR* (8) IRF7342TRP* (2) |
| 所属品牌： | 不限 INFINEON(3) UMW(1) VBSEMI(1) |
| 功能分类： | 不限 开关(1) 脉冲(2) 光电二极管(2) 晶体管(2) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF7342TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 55V, 0.105ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | |||
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IRF7342TR
中文翻译 品牌: VBSEMI |
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IRF7342TR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:P+P-Channel;漏源电压（Vdss）:-55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-3.4A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:105mΩ@-10V | ||||
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IRF7342TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Generation V Technology 第五代技术 |
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IRF7342TRPBF-1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 55V, 0.105ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS | 脉冲 光电二极管 晶体管 |
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