| 型号等于： | IRF7389 (1) |
| 型号起始： | IRF7389* (1) IRF7389P* (2) IRF7389T* (3) |
| 所属品牌： | 不限 INFINEON(5) UMW(1) |
| 功能分类： | 不限 晶体(1) 晶体管(2) 开关(1) 脉冲(2) 光电二极管(2) 局域网(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF7389
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRF7389PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRF7389PBF-1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8 | 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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IRF7389TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Generation v technology 第五代技术 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | ||
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IRF7389TR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:N+P-Channel;漏源电压（Vdss）:N：30V ;P：-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-5.3A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:N：29mΩ ;P：38mΩ@10V | ||||
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IRF7389TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Generation V Technology 第五代技术 |
Total:61
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