IRF933 - 型号起始; 总记录数：10

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		IRF9332PBF 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET
		IRF9332TR 中文翻译品牌: VBSEMI
		IRF9332TRPBF 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 0.0175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROH	开关脉冲光电二极管晶体管
		IRF9333PBF 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET
		IRF9333TR 中文翻译品牌: UMW	MOS（场效应管）
		IRF9333TRPBF 中文翻译品牌: INFINEON	漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):9.2A (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):19.4 mOhm @ 9.2A, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):38nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):2.5W (Ta);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温	栅栅极
		IRF9335 中文翻译品牌: INFINEON	-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装
		IRF9335PBF 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET
		IRF9335TRPBF EDA模型中文翻译品牌: INFINEON	漏源电压Vdss(V):30 V ;额定电流Id(A):5.4A（Ta） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):59 毫欧 @ 5.4A，10V ;类型:P 通道 ;栅极电荷Qg(nC):14 nC @	栅栅极
		IRF9335TRPBF 中文翻译品牌: VBSEMI	元器件封装:8-SOIC;

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