| 型号起始： | IRF9640ST* (4) IRF9640STR* (4) |
| 所属品牌： | 不限 VISHAY(3) NJSEMI(1) |
| 功能分类： | 不限 晶体(2) 晶体管(2) 功率场效应晶体管(1) 开关(2) 脉冲(2) 局域网(1) 栅(1) 栅极(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF9640STRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRF9640STRLPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
漏源电压Vdss(V):200V;额定电流Id(A):11A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):500 mOhm @ 6.6A, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):44n | 栅 栅极 | ||
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IRF9640STRR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN | 晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF9640STRR
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Total:41
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