| 型号起始： | IRF9Z* (163) IRF9Z1* (30) IRF9Z2* (85) IRF9Z3* (48) |
| 所属品牌： | 不限 INFINEON(99) VISHAY(51) SAMSUNG(7) ETC(2) KERSEMI(2) UMW(2) |
| 功能分类： | 不限 局域网(80) 开关(70) 脉冲(85) 晶体管(94) 晶体(45) 功率场效应晶体管(32) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF9Z34NSTRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF9Z34NSTRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | |||
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IRF9Z34PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRF9Z34PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
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IRF9Z34PBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated P-Channel 功率MOSFET动态的dv / dt额定值额定重复性雪崩P沟道 |
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IRF9Z34S
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.14ohm, Id=-18A) 功率MOSFET （ VDSS = -60V ， RDS（ON） = 0.14ohm ，ID = -18A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRF9Z34S
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRF9Z34S, SiHF9Z34S
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRF9Z34SPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRF9Z34SPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Surface Mount 表面贴装 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRF9Z34STRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRF9Z34STRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRF9Z34STRR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRF9Z34STRRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRF9Z35
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.21ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | |||
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IRF9Z35
中文翻译 品牌: INFINEON |
Transistor |