型号等于：	IRF9Z34N (4) IRF9Z34NL (1) IRF9Z34NS (1)
型号起始：	IRF9Z34N* (12) IRF9Z34NL* (2) IRF9Z34NP* (1) IRF9Z34NS* (5)
所属品牌：	不限 INFINEON(9) UMW(1)
功能分类：	不限晶体(4) 晶体管(5) 功率场效应晶体管(2) 开关(5) 脉冲(5) 局域网(5)

IRF9Z34N - 型号起始; 总记录数：11

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		IRF9Z34N 中文翻译品牌: INFINEON	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A) 功率MOSFET （ VDSS = -55V ， RDS（ON） = 0.10ohm ，ID = -19A ）	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRF9Z34N 中文翻译品牌: UMW	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-19A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:100mΩ@-10V
		IRF9Z34NL 中文翻译品牌: INFINEON	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A) 功率MOSFET （ VDSS = -55V ， RDS（ON） = 0.10ohm ，ID = -19A ）
		IRF9Z34NLPBF 中文翻译品牌: INFINEON	Advanced Process Technology 先进的工艺技术	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRF9Z34NPBF EDA模型中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET㈢ POWER MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET
		IRF9Z34NS 中文翻译品牌: INFINEON	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A) 功率MOSFET （ VDSS = -55V ， RDS（ON） = 0.10ohm ，ID = -19A ）	晶体晶体管开关脉冲局域网
		IRF9Z34NSPBF 中文翻译品牌: INFINEON	Advanced Process Technology 先进的工艺技术	晶体晶体管开关脉冲局域网
		IRF9Z34NSTRL 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3
		IRF9Z34NSTRLPBF EDA模型中文翻译品牌: INFINEON	元器件封装:D2PAK;
		IRF9Z34NSTRR 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3	局域网开关脉冲晶体管
		IRF9Z34NSTRRPBF 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

Total:111

总11条记录，每页显示30条记录分1页显示。