| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFB4321PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFB4332
中文翻译 品牌: INFINEON |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications re | ||||
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IRFB4332PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
PDP SWITCH PDP开关 |
晶体 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 光电二极管 局域网 | ||
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IRFB4410
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRFB4410PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 | ||
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IRFB4410Z
中文翻译 品牌: INFINEON |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications re | ||||
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IRFB4410ZGPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFETPower MOSFET HEXFETPower MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFB4410ZPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFB4410ZTRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PA | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFB4410ZTRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PA | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFB4510
中文翻译 品牌: INFINEON |
The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications re | ||||
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IRFB4510GPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor | |||
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IRFB4510PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 高效率同步整流开关电源 |
晶体 开关 晶体管 脉冲 局域网 | ||
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IRFB4610
中文翻译 品牌: INFINEON |
IRFB4610 IRFS4610 IRFSL4610 IRFB4610 IRFS4610 IRFSL4610 |
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IRFB4610PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRFB4610TRL
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFB4610TRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFB4610TRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFB4615
中文翻译 品牌: INFINEON |
The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications re | ||||
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IRFB4615PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 | ||
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IRFB4620
中文翻译 品牌: INFINEON |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications re | ||||
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IRFB4620PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 | ||
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IRFB4710
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A) 功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON）最大值= 0.014ohm ，ID = 75A ） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFB4710PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 | ||
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IRFB52N15
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A) 功率MOSFET （ VDSS = 150V ， RDS（ON）最大值= 0.032ohm ，ID = 50A ） |
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IRFB52N15D
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A) 功率MOSFET （ VDSS = 150V ， RDS（ON）最大值= 0.032ohm ，ID = 50A ） |
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IRFB52N15DPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFB5615
中文翻译 品牌: INFINEON |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications re | ||||
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IRFB5615PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
DIGITAL AUDIO MOSFET 数字音频MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 放大器 局域网 | ||
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IRFB5620
中文翻译 品牌: INFINEON |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications re |