型号起始：	IRFBG* (16) IRFBG2* (8) IRFBG3* (8)
所属品牌：	不限 INFINEON(8) VISHAY(6) ETC(1) KERSEMI(1)
功能分类：	不限局域网(10) 脉冲(8) 晶体管(11) 开关(5) 晶体(4) 功率场效应晶体管(2) PC(1)

IRFBG - 型号起始; 总记录数：16

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		IRFBG20 中文翻译品牌: INFINEON	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=11ohm, Id=1.4A) 功率MOSFET （ VDSS = 1000V ， RDS（ON） = 11ohm ，ID = 1.4A ）
		IRFBG20 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET
		IRFBG20PBF EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRFBG20PBF 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET	晶体晶体管开关脉冲局域网
		IRFBG20STRR 中文翻译品牌: VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,	局域网开关晶体管
		IRFBG20STRRPBF 中文翻译品牌: VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,	局域网开关晶体管
		IRFBG22 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 1.2A I(D) \| TO-220AB 晶体管\| MOSFET \| N沟道\| 1KV V（ BR ） DSS \| 1.2AI （D ） \| TO- 220AB\n	晶体晶体管
		IRFBG22-011 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	局域网脉冲晶体管
		IRFBG30 中文翻译品牌: INFINEON	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A) 功率MOSFET （ VDSS = 1000V ， RDS（ON） = 5.0ohm ，ID = 3.1A ）
		IRFBG30 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET
		IRFBG30 中文翻译品牌: KERSEMI	Power MOSFET 功率MOSFET
		IRFBG30-001PBF 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 5.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	局域网脉冲晶体管
		IRFBG30PBF EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲 PC 局域网
		IRFBG32 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB	局域网脉冲晶体管
		IRFBG32-004PBF 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	局域网脉冲晶体管
		IRFBG32-005PBF 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	局域网脉冲晶体管

Total:161

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