型号等于: | IRFBE30 (3) IRFBE32 (1) |
型号起始: | IRFBE3* (22) IRFBE30* (21) IRFBE32* (1) |
所属品牌: | 不限 VISHAY(13) INFINEON(6) KERSEMI(2) ETC(1) |
功能分类: | 不限 晶体(11) 晶体管(11) 功率场效应晶体管(5) 开关(10) 脉冲(11) 局域网(11) 栅(1) 栅极(1) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
![]() |
IRFBE30PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):800V;额定电流Id(A):4.1A(Tc);类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):78nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):125W(Tc);栅源耐压Vgs(V):4V @ 250µA;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150°C;元器件封装:TO | 栅 栅极 |
Total:11
总1条记录,每页显示30条记录分1页显示。