| 型号等于： | IRFBE30PBF (3) |
| 型号起始： | IRFBE30PB* (4) IRFBE30PBF* (4) |
| 所属品牌： | 不限 VISHAY(2) INFINEON(1) KERSEMI(1) |
| 功能分类： | 不限 晶体(2) 晶体管(2) 功率场效应晶体管(1) 开关(2) 脉冲(2) 局域网(2) 栅(1) 栅极(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFBE30PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFBE30PBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated 动态的dv / dt额定值额定重复性雪崩 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFBE30PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):800V;额定电流Id(A):4.1A（Tc）;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):78nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):125W（Tc）;栅源耐压Vgs(V):4V @ 250µA;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150°C;元器件封装:TO | 栅 栅极 | |||
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IRFBE30PBF-BE3
中文翻译 品牌: VISHAY |
元器件封装:TO-220AB; |
Total:41
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