| 型号等于： | IRFBF30 (2) IRFBF32 (1) |
| 型号起始： | IRFBF3* (12) IRFBF30* (9) IRFBF32* (3) |
| 所属品牌： | 不限 VISHAY(7) INFINEON(4) ETC(1) |
| 功能分类： | 不限 局域网(3) 脉冲(3) 晶体管(4) 晶体(2) 功率场效应晶体管(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFBF30
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=3.6A) 功率MOSFET （ VDSS = 900V ， RDS（ON） = 3.7ohm ，ID = 3.6A ） |
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IRFBF30
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFBF30L
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFBF30PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRFBF30PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRFBF30S
中文翻译 品牌: VISHAY |
元器件封装:TO-263; | |||
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IRFBF30SPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
元器件封装:TO-263; | |||
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IRFBF30STRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
元器件封装:TO-263; | ||||
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IRFBF30STRR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | ||||
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IRFBF32
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 900V V（ BR ） DSS | 2.5AI （D ） | TO- 220AB |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | |||
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IRFBF32-006PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRFBF32-013
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 局域网 脉冲 晶体管 |
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