| 型号等于： | IRFBG30 (6) |
| 型号起始： | IRFBG30* (8) IRFBG30-* (1) IRFBG30P* (1) |
| 所属品牌： | 不限 INFINEON(2) VISHAY(2) KERSEMI(1) |
| 功能分类： | 不限 局域网(2) 脉冲(2) 晶体管(2) 晶体(1) 功率场效应晶体管(1) 开关(1) PC(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFBG30
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A) 功率MOSFET （ VDSS = 1000V ， RDS（ON） = 5.0ohm ，ID = 3.1A ） |
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IRFBG30
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFBG30
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFBG30-001PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 5.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRFBG30PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 |
Total:51
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