型号等于: | IRFC250 (3) IRFC254 (1) |
型号起始: | IRFC25* (8) IRFC250* (5) IRFC254* (3) |
所属品牌: | 不限 INFINEON(4) ETC(2) IXYS(1) MICROSEMI(1) |
功能分类: | 不限 开关(6) 晶体管(8) 晶体(3) 高压(1) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFC250
中文翻译 品牌: IXYS |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series 高压功率MOSFET模N沟道增强型高耐用性系列 |
晶体 晶体管 开关 高压 | |||
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IRFC250
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE | 开关 晶体管 | ||
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IRFC250
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 开关 晶体管 | |||
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IRFC250PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 开关 晶体管 | |||
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IRFC250R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V( BR ) DSS |芯片\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFC254
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 开关 晶体管 | |||
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IRFC254PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 开关 晶体管 | |||
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IRFC254R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | CHIP
晶体管| MOSFET | N沟道| 250V V( BR ) DSS |芯片\n |
晶体 晶体管 |
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