| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFD9010
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 | ||
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IRFD9010
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET® TRANSISTORS P-CHANNEL HEXDIP⢠HEXFET®晶体管P沟道HEXDIPâ ?? ¢ |
晶体 晶体管 | |||
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IRFD9010PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
TRANSISTOR 1100 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, HVMDIP, 4 PIN, FET General Purpose Small Signal | 晶体 小信号场效应晶体管 | ||
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IRFD9012
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 910MA I(D) | DIP
晶体管| MOSFET | P沟道| 50V V（ BR ） DSS | 910MA I（ D） | DIP\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFD9014
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-1.1A) 功率MOSFET （ VDSS = -60V ， RDS（ON） = 0.50ohm ，ID = -1.1A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | |||
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IRFD9014
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | ||
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IRFD9014PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | ||
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IRFD9014PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ POWER MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | |||
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IRFD9015
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 910MA I(D) | DIP
晶体管| MOSFET | P沟道| 60V V（ BR ） DSS | 910MA I（ D） | DIP\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFD9020
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP HEXFET晶体管P沟道HEXDIP |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 局域网 | |||
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IRFD9020
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 光电二极管 局域网 | ||
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IRFD9020PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFD9022
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP HEXFET晶体管P沟道HEXDIP |
晶体 晶体管 | |||
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IRFD9024
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-1.6A) 功率MOSFET （ VDSS = -60V ， RDS（ON） = 0.28ohm ，ID = -1.6A ） |
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IRFD9024
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | |||
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IRFD9024PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | |||
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IRFD9025
中文翻译 品牌: INFINEON |
Transistor, | ||||
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IRFD9110
中文翻译 品牌: INTERSIL |
0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET 0.7A ， 100V ， 1.200欧姆，P沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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IRFD9110
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-0.70A) 功率MOSFET （ VDSS = -100V ， RDS（ON） = 1.2ohm ，ID = -0.70A ） |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | |||
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IRFD9110
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET 0.7A ， 100V ， 1.200欧姆，P沟道功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IRFD9110
中文翻译 品牌: HARRIS |
-0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs -0.6A和-0.7A ， -80V和-100V ， 1.2和1.6欧姆，P沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IRFD9110
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IRFD9110
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 开关 光电二极管 晶体管 | |||
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IRFD9110PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IRFD9110PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) = 1.2ヘ , ID = -0.70A ) HEXFET功率MOSFET（ VDSS = -100V ， RDS （ ON） = 1.2ヘ， ID = -0.70A ） |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | |||
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IRFD9112
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 600MA I(D) | TO-250VAR
晶体管| MOSFET | P沟道| 100V V（ BR ） DSS | 600MA I（ D） | TO- 250VAR\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFD9113
中文翻译 品牌: HARRIS |
-0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs -0.6A和-0.7A ， -80V和-100V ， 1.2和1.6欧姆，P沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IRFD9113
中文翻译 品牌: INFINEON |
1-WATT RATED POWER MOSFETs 1瓦额定功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | |||
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IRFD9120
中文翻译 品牌: INTERSIL |
1.0A, 100V, 0.6 Ohm, P-Channel Power MOSFET 1.0A ， 100V ， 0.6欧姆，P沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IRFD9120
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-1.0A) 功率MOSFET （ VDSS = -100V ， RDS（ON） = 0.60ohm ，ID = -1.0A ） |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 |