型号等于：	IRFF120 (5) IRFF121 (2) IRFF122 (2) IRFF123 (2)
型号起始：	IRFF12* (15) IRFF120* (6) IRFF121* (3) IRFF122* (3) IRFF123* (3)
所属品牌：	不限 ETC(4) GE(4) VISHAY(3) INFINEON(1) INTERSIL(1) NJSEMI(1) ROCHESTER(1)
功能分类：	不限晶体(10) 晶体管(13) 开关(7) 脉冲(9) 场效应晶体管(4) 局域网(1)

IRFF12 - 型号起始 - 场效应晶体管; 总记录数：9

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		IRFF120 中文翻译品牌: INFINEON	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) 重复性雪崩和dv / dt评分HEXFET晶体管直通孔（ TO- 205AF ）	晶体晶体管开关脉冲局域网
		IRFF120 中文翻译品牌: GE	N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors N沟道增强型功率MOS场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管开关脉冲
		IRFF120 中文翻译品牌: VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205	开关脉冲晶体管
		IRFF121 中文翻译品牌: GE	N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors N沟道增强型功率MOS场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管脉冲
		IRFF121 中文翻译品牌: ROCHESTER	6A, 80V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF	脉冲晶体管
		IRFF122 中文翻译品牌: GE	N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors N沟道增强型功率MOS场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管
		IRFF122 中文翻译品牌: VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205
		IRFF123 中文翻译品牌: GE	N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors N沟道增强型功率MOS场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管开关脉冲
		IRFF123 中文翻译品牌: VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205	开关脉冲晶体管

Total:91

总9条记录，每页显示30条记录分1页显示。