| 型号等于： | IRFF122 (4) IRFF122R (1) |
| 型号起始： | IRFF122* (5) IRFF122R* (1) |
| 所属品牌： | 不限 ETC(1) GE(1) VISHAY(1) |
| 功能分类： | 不限 晶体(2) 晶体管(2) 场效应晶体管(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFF122
中文翻译 品牌: GE |
N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors N沟道增强型功率MOS场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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IRFF122
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205 | ||||
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IRFF122R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-205AF
晶体管| MOSFET | N沟道| 100V V（ BR ） DSS | 5A I（ D） | TO- 205AF\n |
晶体 晶体管 |
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