品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFL014
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=2.7A) 功率MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(ON) = 0.20ohm ,ID = 2.7A ) |
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IRFL014
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFL014, SiHFL014
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRFL014N
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.16ohm, Id=1.9A) 功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 0.16ohm ,ID = 1.9A ) |
晶体 小信号场效应晶体管 | ||
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IRFL014NHR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA, TO-261AA, 4 PIN | 局域网 开关 光电二极管 晶体管 | |||
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IRFL014NPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 局域网 | ||
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IRFL014NTR
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223
晶体管| MOSFET | N沟道| 55V V( BR ) DSS | 2.7AI (D ) | SOT- 223\n |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 局域网 | |||
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IRFL014NTRPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 局域网 | ||
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IRFL014PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | ||
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IRFL014PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Surface Mount, Fast Switching 表面贴装,快速切换 |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | |||
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IRFL014TR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFL014TRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFL014_10
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFL024
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=2.8A) 功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 0.075ohm ,ID = 2.8A ) |
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IRFL024N
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=2.8A) 功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 0.075ohm ,ID = 2.8A ) |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 局域网 | ||
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IRFL024NPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
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IRFL024NTR
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 4A I(D) | SOT-223
晶体管| MOSFET | N沟道| 55V V( BR ) DSS | 4A I( D) | SOT- 223\n |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 局域网 | |||
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IRFL024NTRPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 局域网 | ||
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IRFL024Z
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 局域网 | ||
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IRFL024ZPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRFL024ZTR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA, TO-261AA, 4 PIN | ||||
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IRFL024ZTR
中文翻译 品牌: UMW |
MOS(场效应管) | ||||
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IRFL024ZTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
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IRFL1006
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.22ohm, Id=1.6A) 功率MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(ON) = 0.22ohm ,ID = 1.6A ) |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 局域网 | |||
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IRFL1006PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 局域网 | ||
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IRFL1006TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA, TO-261AA, 4 PIN | 局域网 开关 光电二极管 晶体管 | |||
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IRFL1006TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA, LEAD FREE, TO-261AA, 4 P | 晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 局域网 | |||
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IRFL110
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=1.5A) 功率MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(ON) = 0.54ohm ,ID = 1.5A ) |
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IRFL110
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFL110, SiHFL110
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET |