品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFL110PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 PC | ||
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IRFL110PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 PC | |||
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IRFL110TR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFL110TRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IRFL210
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=0.96A) 功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON) = 1.5ohm ,ID = 0.96A ) |
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IRFL210
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFL210, SiHFL210
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRFL210PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFL210PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
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IRFL210TR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFL210TRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | ||
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IRFL214
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=0.79A) 功率MOSFET ( VDSS = 250V , RDS(ON) = 2.0ohm ,ID = 0.79A ) |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | |||
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IRFL214
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IRFL214, SiHFL214
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRFL214PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 局域网 | ||
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IRFL214PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 局域网 | |||
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IRFL214TR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IRFL214TRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IRFL30N20D
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V( BR ) DSS | 30A I( D) | TO- 262\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFL30N20DPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFL31N20D
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFL31N20DPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFL4105
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=3.7A) 功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 0.045ohm ,ID = 3.7A ) |
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IRFL4105PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 光电二极管 局域网 | ||
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IRFL4105TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
暂无描述 | |||
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IRFL4105TRPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA, HALOGEN FREE AND ROHS | 局域网 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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IRFL4310
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.6A) 功率MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(ON) = 0.20ohm ,ID = 1.6A ) |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IRFL4310PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.20ヘ , ID = 1.6A ) HEXFET㈢功率MOSFET ( VDSS = 100V , RDS ( ON) = 0.20ヘ, ID = 1.6A ) |
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IRFL4310TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 PC | ||
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IRFL4315
中文翻译 品牌: INFINEON |
SMPS MOSFET 开关电源MOSFET |
开关 |