| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFN044
中文翻译 品牌: INFINEON |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=60V, Rds(on)=0.040ohm, Id=44A) 功率MOSFET N沟道（ BVDSS = 60V ， RDS（ON） = 0.040ohm ，ID = 44A ） |
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IRFN044SMD
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
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IRFN054
中文翻译 品牌: INFINEON |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=60V, Rds(on)=0.020ohm, Id=55A*) 功率MOSFET N沟道（ BVDSS = 60V ， RDS（ON） = 0.020ohm ，ID = 55A * ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFN054SCV
中文翻译 品牌: INFINEON |
60V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - Screening Level TXV | ||||
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IRFN054SCX
中文翻译 品牌: INFINEON |
60V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - Screening Level TX | ||||
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IRFN054SMD
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
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IRFN130SMD
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS N沟道功率MOSFET用于HI.REL应用 |
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IRFN130SMD05
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N–CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
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IRFN140
中文翻译 品牌: INFINEON |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A) 功率MOSFET N沟道（ BVDSS = 100V ， RDS（ON） = 0.077ohm ，ID = 28A ） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFN140PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
暂无描述 | 晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFN140SMD
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 | |||
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IRFN150
中文翻译 品牌: INFINEON |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.060ohm, Id=34A) 功率MOSFET N沟道（ BVDSS = 100V ， RDS（ON） = 0.060ohm ，ID = 34A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFN150PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFN150SMD
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 | |||
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IRFN214B
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
250V N-Channel MOSFET 250V N沟道MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 | ||
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IRFN214BTA_FP001
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN | 开关 晶体管 | ||
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IRFN214BTA_FP001
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
元器件封装:TO-92-3; | ||||
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IRFN240
中文翻译 品牌: INFINEON |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A) 功率MOSFET N沟道（ BVDSS = 200V ， RDS（ON） = 0.18ohm ，ID = 18A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFN240SMD
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 | |||
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IRFN250
中文翻译 品牌: INFINEON |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.100ohm, Id=27.4A) 功率MOSFET N沟道（ BVDSS = 200V ， RDS（ON） = 0.100ohm ，ID = 27.4A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFN250
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N–CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFN250PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFN250SMD
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 | ||
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IRFN340
中文翻译 品牌: INFINEON |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=10A) 功率MOSFET N沟道（ BVDSS = 400V ， RDS（ON） = 0.55ohm ，ID = 10A） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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IRFN340PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
暂无描述 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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IRFN340SMD
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
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IRFN350
中文翻译 品牌: INFINEON |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.315ohm, Id=14A) 功率MOSFET N沟道（ BVDSS = 400V ， RDS（ON） = 0.315ohm ，ID = 14A） |
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IRFN350PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN | ||||
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IRFN3710
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.028ohm, Id=45A) 晶体管N沟道（ BVDSS = 100V ， RDS（ON） = 0.028ohm ，ID = 45A ） |
晶体 晶体管 | |||
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IRFN3710
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N–CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |