| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
 |
IRFP254
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
 |
IRFP254
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | ||||
 |
IRFP254A
中文翻译 品牌: INFINEON |
$GYDQFHG 3RZHU 026)(7 $ GYDQFHG 3RZHU 026 ）（7 |
||||
 |
 |
IRFP254B
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
250V N-Channel MOSFET 250V N沟道MOSFET |
|||
|
 |
IRFP254B_FP001
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
|
IRFP254N
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=125mohm, Id=23A) 功率MOSFET （ VDSS = 250V ，导通电阻Rds （ ON）= 125mohm ，ID = 23A ） |
||||
|
 |
IRFP254N
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
|||
|
 |
IRFP254NPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
|
IRFP254NPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
|
 |
IRFP254PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
 |
IRFP254R
中文翻译 品牌: RENESAS |
IRFP254R | ||||
 |
 |
IRFP255
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 250V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
|
IRFP255R
中文翻译 品牌: RENESAS |
IRFP255R | ||||
 |
IRFP256
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 275V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247
晶体管| MOSFET | N沟道| 275V V（ BR ） DSS | 23A I（ D） | TO- 247\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
|
IRFP257
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 275V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-247
晶体管| MOSFET | N沟道| 275V V（ BR ） DSS | 21A I（ D） | TO- 247 |
晶体 晶体管 | |||
|
IRFP260
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.04ohm, Id=50A) 功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON） = 0.04ohm ，ID = 50A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
 |
 |
IRFP260
中文翻译 品牌: IXYS |
Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode 标准功率MOSFET - N沟道增强模式 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
|
 |
IRFP260
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
|
 |
IRFP260M
中文翻译 品牌: INFINEON |
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications | |||
|
 |
IRFP260MPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 | ||
|
 |
IRFP260N
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.04ohm, Id=50A) 功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON） = 0.04ohm ，ID = 50A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
|
IRFP260NHR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, PLASTIC PACKAGE-3 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
|
 |
IRFP260NPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
|
 |
IRFP260PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
|
IRFP260PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
|
IRFP264
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.075ohm, Id=38A) 功率MOSFET （ VDSS = 250V ， RDS（ON） = 0.075ohm ，ID = 38A ） |
||||
|
 |
IRFP264
中文翻译 品牌: IXYS |
Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode 标准功率MOSFET - N沟道增强模式 |
|||
|
 |
IRFP264
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
|||
|
IRFP264N
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=60mohm, Id=44A) 功率MOSFET （ VDSS = 250V ， RDS（ON） = 60mohm ，ID = 44A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
|
|
IRFP264N
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 |