型号等于：	IRFP064 (2)
型号起始：	IRFP06* (19) IRFP064* (19)
所属品牌：	不限 INFINEON(14) VISHAY(3) KEXIN(2)
功能分类：	不限局域网(7) 开关(7) 脉冲(7) 晶体管(7) 晶体(2) 功率场效应晶体管(1) 栅(1) 栅极(1)

IRFP06 - 型号起始; 总记录数：19

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		IRFP064 中文翻译品牌: INFINEON	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70A) 功率MOSFET （ VDSS = 60V ， RDS（ON） = 0.009ohm ，ID = 70 A）
		IRFP064 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET
		IRFP064N 中文翻译品牌: INFINEON	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=110A) 功率MOSFET （ VDSS = 55V ， RDS（ON） = 0.008ohm ，ID = 110A ）
		IRFP064N-201 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
		IRFP064N-201PBF 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
		IRFP064N-202PBF 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	局域网开关脉冲晶体管
		IRFP064N-203PBF 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	局域网开关脉冲晶体管
		IRFP064N-204PBF 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	局域网开关脉冲晶体管
		IRFP064N-205 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
		IRFP064N-208 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	局域网开关脉冲晶体管
		IRFP064N-208PBF 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	局域网开关脉冲晶体管
		IRFP064NPBF EDA模型中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET
		IRFP064PBF EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管开关脉冲局域网
		IRFP064PBF 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRFP064PBF 中文翻译品牌: KEXIN	漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):70A;最大导通阻抗Ron(mΩ):9 mOhm @ 78A, 10V;类型:N Channel;栅极电荷Qg(nC):190nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):300W (Tc);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温度(℃):-55°	栅栅极
		IRFP064PBF (KRFP064PBF) 中文翻译品牌: KEXIN	N-Channel MOSFET
		IRFP064V 中文翻译品牌: INFINEON	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=5.5mohm, Id=130A) 功率MOSFET （ VDSS = 60V ， RDS（ON） = 5.5mohm ，ID = 130A ）
		IRFP064VPBF 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET
		IRFP064_11 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET

Total:191

总19条记录，每页显示30条记录分1页显示。