| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFP21N60L
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFP21N60LPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP21N60LPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
SMPS MOSFET 开关电源MOSFET |
晶体 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 局域网 | |||
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IRFP220
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFP221
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFP222
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFP223
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFP22N50A
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP22N50APBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on)max = 0.23ヘ , ID = 22A ) HEXFET功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS （ ON）最大值= 0.23ヘ， ID = 22A ） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP22N60K
中文翻译 品牌: INFINEON |
SMPS MOSFET 开关电源MOSFET |
晶体 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 局域网 | |||
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IRFP22N60K
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP22N60KPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP22N60KPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP230
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP231
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP232
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP233
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP23N50L
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFP23N50LPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP240
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=20A) 功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON） = 0.18ohm ，ID = 20A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP240
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP240A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | ||
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IRFP240B_FP001
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFP240PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP240PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP240R
中文翻译 品牌: RENESAS |
20A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | ||||
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IRFP2410
中文翻译 品牌: INFINEON |
Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP241R
中文翻译 品牌: RENESAS |
20A, 150V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFP242
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | |||
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IRFP242R
中文翻译 品牌: RENESAS |
18A, 200V, 0.22ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 |