| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFP21N60L
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFP21N60LPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP21N60LPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
SMPS MOSFET 开关电源MOSFET |
晶体 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 局域网 | |||
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IRFP220
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFP221
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFP222
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFP223
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFP22N50A
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.23ohm, Id=22A) 功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS（ON）最大值= 0.23ohm ，ID = 22A ） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP22N50A
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP22N50APBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on)max = 0.23ヘ , ID = 22A ) HEXFET功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS （ ON）最大值= 0.23ヘ， ID = 22A ） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP22N60K
中文翻译 品牌: INFINEON |
SMPS MOSFET 开关电源MOSFET |
晶体 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 局域网 | |||
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IRFP22N60K
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP22N60KPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP22N60KPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP230
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP231
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP232
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP233
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP23N50L
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFP23N50LPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP23N50LPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on)typ. = 0.190ヘ , Trr typ. = 170ns , ID = 23A ) HEXFET功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS （ ON） （典型值） = 0.190ヘ， T |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP240
中文翻译 品牌: INTERSIL |
20A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFET 20A ， 200V ， 0.180 Ohm的N通道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP240
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=20A) 功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON） = 0.18ohm ，ID = 20A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP240
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP240
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated 动态的dv / dt额定值额定重复性雪崩 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP240A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | ||
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IRFP240B_FP001
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFP240FI
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V（ BR ） DSS | 12A I（ D） | TO- 218VAR\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFP240PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP240PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 |