| 型号等于： | IRFP253 (6) IRFP253R (1) |
| 型号起始： | IRFP253* (7) IRFP253R* (1) |
| 所属品牌： | 不限 ETC(1) INFINEON(1) IXYS(1) SAMSUNG(1) |
| 功能分类： | 不限 晶体(3) 晶体管(3) 功率场效应晶体管(1) 高压(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFP253
中文翻译 品牌: INFINEON |
N-Channel(Hexfet Transistors) N沟道（ HEXFET晶体管） |
晶体 晶体管 | |||
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IRFP253
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-Channel Power Mosfets N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRFP253
中文翻译 品牌: IXYS |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series 高压功率MOSFET模N沟道增强型高耐用性系列 |
高压 | |||
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IRFP253R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247
晶体管| MOSFET | N沟道| 150V V（ BR ） DSS | 27A I（ D） | TO- 247\n |
晶体 晶体管 |
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