品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFR014
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A) 功率MOSFET ( VDSS = 60 V , RDS(ON) = 0.20欧姆,ID = 7.7A ) |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR014
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR014
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR014
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR014, IRFU014, SiHFR014, SiHFU014
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRFR014-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR014A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
ADVANCED POWER MOSFET 先进的功率MOSFET |
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IRFR014PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR014PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR014PBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR014TR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR014TR
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR014TRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFR014TRL
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFR014TRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR014TRLPBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR014TRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR014TRPBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR014TRR
中文翻译 品牌: VISHAY |
元器件封装:D-PAK; | ||||
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IRFR014TRRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR014_10
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
Total:211
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