| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFR020
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFETR Power MOSFET HEXFETR功率MOSFET |
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IRFR020
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFR020, IRFU020, SiHFR020, SiHFU020
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRFR020PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFR020TR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 | ||
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IRFR020TR
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 | |||
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IRFR020TRL
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | ||||
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IRFR020TRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
元器件封装:D-PAK; | |||
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IRFR020TRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | |||
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IRFR020TRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFR020TRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | ||||
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IRFR020TRR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | |||
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IRFR020TRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, | ||||
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IRFR020_10
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFR022
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-252AA
晶体管| MOSFET | N沟道| 50V V（ BR ） DSS | 14A I（ D） | TO- 252AA\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFR022TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | ||||
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IRFR024
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET POWER MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRFR024
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFR024
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFR024, IRFU024, SiHFR024, SiHFU024
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRFR024A
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252AA
晶体管| MOSFET | N沟道| 60V V（ BR ） DSS | 15A I（ D） | TO- 252AA\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFR024ATF
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3/2 | 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR024N
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A) 功率MOSFET （ VDSS = 55V ， RDS（ON） = 0.075ohm ，ID = 17A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR024N
中文翻译 品牌: FREESCALE |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFR024NPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRFR024NPBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Ultra Low On-Resistance 超低导通电阻 |
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IRFR024NTR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | ||||
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IRFR024NTR
中文翻译 品牌: VBSEMI |
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IRFR024NTR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:14A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:75mΩ@10V | ||||
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IRFR024NTRL
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Ultra Low On-Resistance 超低导通电阻 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 |