型号起始:IRFR10* (14) IRFR101* (14)
所属品牌:不限 INFINEON(10) KERSEMI(3) UMW(1)
功能分类:不限 局域网(4) 开关(6) 脉冲(6) 晶体管(6) 晶体(2)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
IRFR1010Z
中文翻译 品牌: INFINEON
AUTOMOTIVE MOSFET
汽车MOSFET
IRFR1010Z
中文翻译 品牌: KERSEMI
Advanced Process Technology
先进的工艺技术
IRFR1010ZPBF
中文翻译 品牌: INFINEON
AUTOMOTIVE MOSFET
汽车MOSFET
IRFR1010ZTRL
中文翻译 品牌: KERSEMI
Advanced Process Technology
先进的工艺技术
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网
IRFR1010ZTRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, D
IRFR1010ZTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, D 局域网 开关 脉冲 晶体管
IRFR1010ZTRR
中文翻译 品牌: KERSEMI
Advanced Process Technology
先进的工艺技术
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网
IRFR1010ZTRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, D 局域网 开关 脉冲 晶体管
IRFR1018E
中文翻译 品牌: INFINEON
The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications re
IRFR1018EPBF
中文翻译 品牌: INFINEON
HEXFET TM Power MOSFET
TM HEXFET功率MOSFET
IRFR1018ETR
中文翻译 品牌: UMW
种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):60V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):47A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:8.4mΩ@10V
IRFR1018ETRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 开关 脉冲 晶体管
IRFR1018ETRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3
IRFR1018ETRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 开关 脉冲 晶体管
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