型号等于:IRFR1205 (6)
型号起始:IRFR1205* (17) IRFR1205P* (2) IRFR1205T* (9)
所属品牌:不限 INFINEON(8) KERSEMI(3) FREESCALE(1) UMW(1) VBSEMI(1)
功能分类:不限 局域网(8) 开关(8) 脉冲(8) 晶体管(8) 晶体(4) 功率场效应晶体管(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
IRFR1205
中文翻译 品牌: INFINEON
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=44A)
功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 0.027ohm ,ID = 44A )
IRFR1205
中文翻译 品牌: FREESCALE
HEXFET® Power MOSFET
HEXFET®功率MOSFET
IRFR1205
中文翻译 品牌: KERSEMI
Ultra Low On-Resistance
超低导通电阻
IRFR1205PBF
中文翻译 品牌: INFINEON
HEXFET Power MOSFET
HEXFET功率MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网
IRFR1205PBF
中文翻译 品牌: KERSEMI
ULTRA LOW ON-RESISTANCE
超低导通电阻
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网
IRFR1205TR
中文翻译 品牌: INFINEON
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 局域网 开关 脉冲 晶体管
IRFR1205TR
中文翻译 品牌: VBSEMI
IRFR1205TR
中文翻译 品牌: UMW
种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):55V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):44A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:27mΩ@10V
IRFR1205TRL
中文翻译 品牌: INFINEON
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 局域网 开关 脉冲 晶体管
IRFR1205TRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON
元器件封装:D-PAK;
IRFR1205TRPBF EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON
Ultra Low On-Resistance
超低导通电阻
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网
IRFR1205TRR
中文翻译 品牌: KERSEMI
Ultra Low On-Resistance
超低导通电阻
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网
IRFR1205TRR
中文翻译 品牌: INFINEON
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 局域网 开关 脉冲 晶体管
IRFR1205TRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DP 局域网 开关 脉冲 晶体管
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